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12. Electrical Specifications
12.1
Absolute Maximum Ratings*
Temperature Under Bias ............................... -55 ? C to +125 ? C
Storage Temperature..................................... -65 ? C to +150 ? C
All Input Voltages
(including NC Pins)
with Respect to Ground .....................................-0.6V to +4.1V
All Output Voltages
with Respect to Ground .............................-0.6V to V CC + 0.5V
12.2
DC and AC Operating Range
*NOTICE:
Stresses beyond those listed under “Absolute
Maximum Ratings” may cause permanent dam-
age to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these or any
other conditions beyond those indicated in the
operational sections of this specification is not
implied. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods may affect device
reliability.
AT25DF321
Operating Temperature (Case)
V CC Power Supply
12.3
DC Characteristics
Ind.
-40 ? C to +85 ? C
2.7V to 3.6V
Symbol
I SB
I DPD
Parameter
Standby Current
Deep Power-Down Current
Condition
CS, WP, HOLD = V CC ,
all inputs at CMOS levels
CS, WP, HOLD = VCC,
all inputs at CMOS levels
Min
Typ
25
15
Max
35
25
Units
μA
μA
f = 70 MHz, I OUT = 0 mA,
CS = V IL , V CC = Max
f = 66 MHz, I OUT = 0 mA,
CS = V IL , V CC = Max
11
10
16
15
I CC1
Active Current, Read Operation
f = 50 MHz; I OUT = 0 mA,
CS = V IL , V CC = Max
9
14
mA
f = 33 MHz, I OUT = 0 mA,
CS = V IL , V CC = Max
f = 20 MHz, I OUT = 0 mA,
CS = V IL , V CC = Max
8
7
12
10
I CC2
Active Current, Program Operation
CS = V CC , V CC = Max
12
18
mA
I CC3
Active Current, Erase Operation
CS
= V CC , V CC = Max
14
20
mA
I LI
I LO
V IL
V IH
V OL
V OH
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
Output Low Voltage
Output High Voltage
V IN = CMOS levels
V OUT = CMOS levels
I OL = 1.6 mA, V CC = Min
I OH = -100 μA
0.7 x V CC
V CC - 0.2
1
1
0.3 x V CC
0.4
μA
μA
V
V
V
V
28
AT25DF321
3669B–DFLASH–6/09
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